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            CREE Sic MOSFET

            科锐(Cree)发布第二代碳化硅MOSFET,相比硅材料的解决方案bbv体育-官网,它可以使系统变得更小,效率更高。在相同的功率密度和开关效率的条件下,比科锐(Cree)第一代MOSFET产品每安培成本下降一半。从这个角度说,它可以降低OEM的系统成本,终端用户的能耗和安装运输成本bbv体育-官网。

            第二代碳化硅MOSFET具有高开关速度低寄生电容bbv体育-官网,高阻断电压低导通电阻正温度系数,易于并联,驱动简单等特点bbv体育-官网,广泛用于光伏,开关电源,高压DCDC变换器,电机驱动等领域;

            目前,科锐(Cree)发布的碳化硅MOSFET电压等级有1200Vbbv体育-官网,1700V,单管型号的导通电阻分别为25mΩbbv体育-官网,40mΩ,80mΩbbv体育-官网,160mΩ,280mΩbbv体育-官网,1Ω;同时科锐(Cree)还发布的碳化硅MOSFET?,详细情况请联系我们。

            1700-V 1200-V SiC MOSFET Packaged 1200-V SiC MOSFET Die
            Packaged Die
            C2M1000170D New! CPM2-1200-0025B
            C2M0080120D CPM2-1200-0080B
            C2M0160120D New! CPMF-1200-S080B
            CMF10120D CPMF-1200-S160B
            CMF20120D  
            C2M0025120D  
            C2M0040120D  
            C2M0280120D  
            C2M1000170D

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